Годы и годы разработки

Работы по созданию PWR-222 начались в 2008 году, одновременно с разработкой интегрального усилителя AMP-150. Оба компонента основывались на технологии TwinFET, представленной нами с выходом AMP-150 в 2010 году. Семь лет оптимизации каждой цепи схемотехники дали нам, наконец, возможность представить топовую модель в нашем портфолио - одноканальный усилитель мощности для настоящего dual mono.

PWR-222 идеально сочетается с предусилителем/ЦАП PRD-3S, как в плане превосходного стереозвучания, так и по ошеломляющему дизайну. Удобства в повседневном использовании добавляет возможность управлять через предусилитель PRD-3S включением и выключением PWR-222 с помощью специального входа "Link" (триггер на 12В).

Впечатляющие характеристики

PWR-222 выдает внушающие уважение 250 Вт на нагрузке 8 Ом. Этой мощности хватит, чтобы раскачать любые "тяжелые" акустические системы. Так же, как и усилитель мощности в AMP-150, он работает на MOS-FET в классе A/B. Единое шасси имеет на борту огромный блок питания с конденсатором емкостью более 44.000 мкФ и низким ESR, другие широкополосные конденсаторы и тороидальный трансформатор на 700Вт. Также имеются два мощнейших транзистора (MOS-FET, 500А) и коннекторы WBT NexGen. Малошумящий входной каскад и тщательно оптимизированная печатная плата обеспечили соотношение сигнал/шум более 115дБ и частотный диапазон шире 100кГц.

Технология TwinFET

Самая важная задача усилителя мощности Hi End – мгновенно выдавать максимальный вольтаж и ток на любой нагрузке. Но высокие напряжение и ток предъявляют особые требования к элементной базе. Типичным компромиссным решением является использование нескольких усилительных элементов, подключенных параллельно. Каждый транзистор способен работать с высоким напряжением, но только в группе они могут обеспечить большой выходной ток. Однако, при этом возникают сложности со слабым аудиосигналом, т.к. даже в группе с более-менее идентичными параллельными транзисторами каждый из них обладает собственным «голосом», отличающимся от своих братьев и сестер.

Чтобы избавиться от проблемы этого «нестройного хора», мы решили выйти за рамки типичных решений при разработке схемотехники и выборе поставщиков. Мы нашли по-настоящему серьезные MOS-FET, разработанные для самого передового сварочного оборудования. Один единственный MOS-FET этого типа способен обеспечить 500А и 200В на выходе, что эквивалентно комбинации примерно из пяти обычных мощных транзисторов. Такие специализированные элементы могут выдавать одновременно и высокий ток и высокое напряжение, не требуя помощи у множества братьев и сестер, чтобы выдержать подобную нагрузку.

Если вкратце, то технология Gato Audio TwinFET означает отсутствие запараллеленных транзисторов на выходе, превосходно согласованный пуш-пулл и кратчайший путь аудиосигнала. Все эти факторы обеспечивают безупречную чистоту звучания.